이진구 교수, 갈륨비소 건 다이오드 국산화

밀리미터파신기술연구센터(센터장=이진구ㆍ전자공학)가 국내 최초로 94㎓ GaAs Gunn(갈륨비소 건) 다이오드를 국산화하는데 성공했다.

밀리미터파 신기술 연구센터에 따르면 2005년 초부터 94㎓ 갈륨비소 건 다이오드 칩 개발을 시작했으며, 2007년 10월 방산 전문 개발업체인 엘트로닉스와 기술협약을 체결하고 국방과학연구소 김완주 박사의 기술자문을 받아 개발된 칩의 조립 및 패키지 기술을 공동 개발해왔다.

이번에 개발에 성공한 94㎓ 건 다이오드는 밀리미터파 대역 레이더 센서의 신호원으로 사용되는 전압조정 발진기의 핵심 부품으로 전량 수입에 의존하고 있다.

전문가들은 제품 개발이 완료되면 밀리미터파 센서의 핵심부품 국산화로 국가 안보적인 측면에서 의미가 큰 것으로 내다보고 있다.

제품개발에 참여하고 있는 주식회사 엘트로닉스는 “올해 말부터 양산에 들어가 내년부터 국내판매 및 해외수출을 개시할 예정”이라며 “94GHz 건 다이오드 개발에 이어 차량의 전후방 충돌방지센서의 핵심부품인 77㎓ 갈륨비소 건 다이오드도 공동 개발 중”이라고 밝혔다.